MOCVD（金属有机化学气相沉积）是一种化学气相沉积技术，用于制备半导体材料和器件。其原理是将金属有机化合物和气态反应物在高温下反应，生成半导体材料的薄膜。MOCVD技术的关键是选择合适的金属有机化合物和反应条件，以控制薄膜的成分、结构和性质。MOCVD技术广泛应用于制备GaN、InGaN、AlGaN等III-V族半导体材料和器件，以及SiC、GaAs等其他半导体材料和器件。